8月4日消息，据韩媒，韩国政府主导的“无机发光二极管（iLED）显示技术开发及生态系统构建项目”正面临良率爬坡难题，据称良率低于60%。

据了解，无机发光二极管（iLED）显示技术开发及生态系统构建项目总预算达4840亿韩元（折合人民币约23亿元），旨在覆盖包括Micro LED在内的下一代无机发光显示技术。实施周期为2025年至2032年。该项目具体攻关方向包括“芯片可更换中小尺寸Micro LED显示面板检测与维修工艺技术开发”及“芯片可更换面板检测与维修工艺技术开发”。目前，LG Display、蔚山科学技术院（UNIST）、韩国显示器产业协会、Hubio、Justem、Nine Tech和PNK等企业及机构均已参与其中。

项目设定的最终良率目标高达99.99999%。也就是说即便今年的阶段性目标仅为60%，当前实际良率仍未能达标。

目前，参与机构正着力攻克四大关键环节：芯片巨量转移、电极键合、缺陷检测与芯片修复。这不仅需要验证单台设备的性能，更要评估工艺集成后的良率稳定性与量产可行性。

据称，参与该项目具体任务的各单位将于本月召开详细指导委员会会议，复盘各工艺环节的开发进度，并于10月举办成果分享会，集中展示Micro LED转移、键合、检测与修复等关键技术，以及5微米级面板的研发进展。

Micro LED通过将数十万乃至数百万颗超小型LED芯片精密排列在基板上制成。相较于OLED，其具备更高亮度、更长寿命与更优能效，但核心难点在于如何将海量芯片快速、精准地转移至基板，只要极少数芯片失效，便会导致面板出现缺陷像素。

值得注意的是，单纯依赖后端修复工艺存在明显瓶颈。即便整体良率达到99.9%，一块由数百万颗芯片组成的面板仍可能出现数千个缺陷点。若上游转移与键合环节缺陷率过高，修复所需的芯片替换量和处理时长将大幅增加，直接推高制造成本。一位高管强调：“必须在前端工艺达到一定良率后，再辅以修复工艺，才能有效控制成本。修复手段无法解决上游产生的所有缺陷。”

与此同时，芯片结构迭代也带来了新的技术挑战。随着Micro LED从传统倒装芯片结构向垂直结构转型，芯片与基板的对准难度陡增。垂直芯片需分别连接上下电极，这对高精度对准技术，以及配套的激光加工与键合工艺提出了严苛要求。据悉，相关配套技术目前仍处于研发攻坚阶段。

韩国业界原本预期，到2028年相关工艺成熟后将推动Micro LED在车载显示和电子广告牌领域率先商业化。然而，鉴于当前良率尚未突破60%的关口，有观点指出现阶段谈论商业化并不现实。未来几年，项目团队亟需攻克转移与键合良率提升、检测修复效率优化及制造成本压降三大难关，方能为产业化铺平道路。