据韩国经济日报（SEDaily）8月31日报道，随着人工智能（AI）建设对高带宽内存（HBM）需求的持续飙升，三星电子已将其高达70%的存储器产能通过长期供应协议（LTA）锁定，合同期限延伸至2031年。这一战略举措正在深刻改变传统内存市场的周期性特征，同时也导致现货市场价格与长协价之间出现高达4-5倍的巨大价差。

长协模式锁定更多产能，但价格仅现货价1/5

三星电子在7月30日的第二季度财报电话会议上已明确披露了这一规划。三星表示，计划将总生产能力的60%至70% 通过LTA进行分配，并已与全球前五大数据中心客户完成了合同签署，并正与另外5家主要客户进行最终阶段谈判。据SEDaily最新的报道，这些LTA的主要客户包括微软（Microsoft）、英伟达（NVIDIA）和谷歌（Google） 。

三星内存业务负责人金在俊（Jaejune Kim）在财报电话会上表示：“几乎所有客户都在寻求LTA，我们在可用产能范围内难以满足所有供应请求。”他进一步透露，为维持充足的供应灵活性，公司计划将总产能的约60%-70%分配给LTA，合同期限以5年为基本单位，并采用“滚动”方式每年协商续约，同时加入预付款条款以增强合同约束力。

分析师指出，LTA正在成为消除内存市场周期性波动的关键因素。长期协议为供应商提供了需求可见性，同时也为大型科技客户确保了未来数年的关键部件供应。

不过，长协价格与现货市场价格之间的差异极为显著。据SEDaily披露的数据，36GB容量的HBM3E模块在现货市场的单价约为287万韩元（约合2100美元） ，而相同产品的LTA协议价格仅在50万至70万韩元区间，两者相差4到5倍。

DRAM价格仍在上涨

韩国贸易协会的数据显示，7月份DRAM出口数量为5.9174亿个，同比下降13.2%；但出口额却达到135.5亿美元，同比增长18.5%，出口单价从16.76美元飙升至22.9美元，涨幅达36.6%。

这一“量降价升”悖论源于多重因素：随着HBM4量产的推进，新一代HBM需要消耗更多DRAM层数（16层），且初期良率低于成熟的HBM3E，导致生产过程中消耗的DRAM晶圆大幅增加，不仅导致HBM4初期成本高昂，也挤压了通用DRAM的供给。

比如，正在逐步量产的HBM4 16层堆叠产品在非长协渠道的价格已达480万韩元（约合3500美元） 。随着HBM4进入大规模生产阶段，HBM平均出口单价已从第一季度的40.94美元跃升至第二季度的60.22美元，涨幅约47%。

韩国半导体产业协会专务安基贤也解释称：“HBM每次升级换代，良率都会出现阶段性下降。HBM4价格已是前代产品的两倍左右，企业在增产过程中消耗的DRAM量也随之增加，最终导致整体出口量减少。”

与此同时，三星等厂商将大量产能通过LTA锁定，进一步加剧了现货DRAM市场的供应紧张。

供应紧张仍将持续

三星高管在财报会议上预计，AI引发的存储器供应短缺可能持续至2028年。新建晶圆厂从开工到真正投产通常需要3年以上时间，这意味着2028年之前显著的新增供给难以出现。

韩国贸易协会首席研究员都元彬指出：“半导体产品生产出来即被全部出口，短期内难以扩大产能，单价走高是不可避免的趋势。”

面对持续紧绷的供应形势，韩国两大存储器厂商正加速产能扩张步伐。三星电子正考虑将平泽园区的S5代工生产线转换为存储器生产设施；SK海力士则正探讨与日本企业合作建立合资工厂的可能性。

SK集团会长崔泰源在出席日本仙台举行的韩日商工会议所会长团会议时透露：“（SK海力士）正在探讨在日本设立半导体合资工厂的方案。”

随着长协模式的深化和产能锁定的延续，内存市场正从传统的周期性波动走向更为稳定的结构性供给格局。但对于未能锁定长协的买家而言，现货市场的高昂价格和供应紧张局面短期内料将持续。