与各大内存厂商紧密合作的慧荣科技总经理苟嘉章受访表示，随着人工智能（AI）应用大举扩张，全球内存产业正面临一场结构性、长周期缺货。他透露，三大 DRAM 原厂 SK 海力士、三星和美光，以及 NAND 内存供应商（除上述三大厂外，还包括铠侠、大陆长江存储等），产能已被完全抢占。市场缺口从原本预估的七八成扩大到一倍，尽管其中存在重复下单的情况，但由于供给缺口大到超出预期，缺货问题明年绝对无法解决，恐怕要到 2027 年下半年才会出现转机。

苟嘉章强调，SK 海力士已公布 “2026 年产能全数售罄”，这一情况印证了此波 DRAM 需求确实极为强劲，价格飙涨是可预期的结果。他同时指出，此轮缺货并非单纯的 “暂时供应紧张”，而是供需节奏与产能布局同步错位导致的。

苟嘉章表示，内存供应链曾因手机、消费性电子需求疲软而压力重重，然而随着 AI 训练与推论架构的爆炸式成长，内存需求瞬间转向。“存储容量 + 高带宽” 成为新的基础设施 —— 不仅高带宽内存（HBM）被争抢，传统 DRAM、NAND 也因数据中心与近端存储需求而显著拉升。

例如 SK 海力士就曾表示，其 DRAM、HBM 与 NAND 2026 年的全部产能已被客户预订，而 “供应增长无法追上需求加速”，正是 SK 海力士将此轮缺货定义为 “超周期” 的关键原因。

苟嘉章进一步说明，除了 HBM 这类高阶产品备受关注外，传统 DRAM 与 NAND 的供应也出现瓶颈。由于大型厂商将更多资源从成熟节点转向 AI 专用内存产线，导致通用型内存的供给被压缩。以服务器用 DDR5 为例，部分订单的交货比例仅能达到约 70%。

此外，业内人士预估，NAND 供应紧张的状况可能不止一两年，而是会拉长至十年之久。

随着供应吃紧，价格迅速攀升。数据中心、服务器模组商等下游客户面临严重的交期延迟与成本压力。根据 Tom’s Hardware 报道，服务器用 DRAM 模组 2025 年第四季度价格涨幅已达 50%，部分供应商的供应率降至 70%。

另外，由于客户为抢货，提前下单、重复下单（double-booking）的现象增多，使得产能分配更加复杂。他认为，这种不透明的订单行为可能引发资源浪费与市场混乱。

苟嘉章强调，在这场供应链重新洗牌的过程中，大型内存芯片厂与数据中心、云端服务商是最大受益者。SK 海力士、三星等厂商受惠于价格上涨与长期合约签订，盈利能力明显提升。

反之，中小模组厂、低阶终端设备与车用应用领域则处于弱势。由于采购量低、议价能力弱，这些企业可能面临抢货无门、成本大增的困境，甚至需要降低规格以维持产能。消费性市场也可能因此出现低阶版本内存容量下调、售价上涨的情况。

台湾作为全球内存模组及代工重镇，正站在这波缺货潮的前端。金士顿（Kingston）、威刚、创见等模组厂商均面临存储元件供应变化的影响。虽然存在发展机会，但如果无法取得关键产能与订单保障，中小模组厂恐怕会被边缘化。

此外，车用与工业用内存需求虽尚未完全释放，但如果缺货状况持续，这些后端应用领域也将受到波及。

苟嘉章分析，这波内存缺货并非短期现象。有观点指出，传统 DRAM 可能在 2027 年后开始回稳，但 NAND 与高容量存储需求可能会持续至 2028 年甚至更久。