10月29日，晶圆代工大厂联电公布了2025年第三季财报，合并营收为新台币591.3亿元，较上一季的新台币587.6亿元增加0.6%，较2025年同期合并营收减少2.2%。2025年第三季毛利率达到29.8%，归属母公司净利为新台币149.8亿元，普通股EPS为新台币1.20元。 联电共同总经理王石表示，在第三季，我们观察到多数市场领域的需求增加
发布日期：2025-10-29 来源：芯智讯-林子SK海力士预测，即使到2027年，其高带宽存储器（HBM）产品的供应仍将供不应求。 SK海力士在今天（29日）举行的第三季度财报电话会议上表示：“受人工智能（AI）市场中长期增长的推动，HBM需求正在快速增长。因此，短期内供应将难以跟上需求。” 该公司继续表示：“HBM产品已售罄，目前价格正在维持盈利水平。”
发布日期：2025-10-28 来源：存储世界MWorld成熟制程晶圆代工报价谈判进入关键期，联电与世界先进针对2026年与客户代工价格协议交涉时，内外压力骤升。市场传出，联电开第一枪，已正式要求上游供应链自2026年起至少提出15％的降价方案，借此提前因应成本上升与报价松动的双重风险。法人解读，联电意在「先向上游争取空间、再与下游客户谈守价」，借此稳住平均销售单价（ASP）与现金流。 法人指出，这波15％的降本要求，将涵
发布日期：2025-10-27 来源：半导体行业观察10月24日消息，据韩媒报道，三星电子、SK海力士等主要内存供应商，将在今年第四季度继续向客户调整报价。幅度上，包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高达30%！ 有机构表示，本轮由AI推动的存储「超景气」周期可能持续3–4年；同时，HBM产线的虹吸效应使得通用DRAM产能更趋紧（HBM单位晶圆占用>标准DRAM约3倍），最终导致价格进一步
发布日期：2025-10-26 来源：国芯网10月23日消息，三星电子在SEDEX2025上宣布，计划将鳍式场效晶体管（FinFET）制程技术应用于NANDFlash闪存生产上。这一举动被解读为三星为应对人工智能（AI）芯片对更大容量NANDFlash闪存的需求所做的准备。不过，这是一项技术属于未来技术，实际应用仍需时间。 三星电子DS部门技术长SongJae-hyuk在SEDEX2025主题演讲时表示，三星
发布日期：2025-10-23 来源：芯智讯-林子较新的2纳米制程可以继续利用台积电现有的EUV光刻机进行量产，并提高良率。但随着这家台湾半导体巨头向1.4纳米和1纳米（也称为A14和A10）等2纳米以下节点迈进，它将面临制造方面的障碍。现在，通过购买ASML先进的高数值孔径EUV光刻机可以轻松解决这个问题，但一份新报告指出，台积电将不再购买ASML光刻机，而是转向光掩模薄膜。 2纳米晶圆预计将于2025年底全面投
发布日期：2025-10-22 来源：工商时报
