6月11日消息，据韩国媒体TheElec引述消息人士的话报道称，SK海力士计划今年底开始量产375层3DNANDFlash，并首度在高层数NAND制程中导入钼（Molybdenum，化学符号Mo）材料，以提升产品性能与堆叠密度。 SK还来已完成375层NAND的生产验证，正准备将相关技术导入量产线。虽然SK海力士并未新建晶圆厂，但是其选择在位于韩国清州M15厂进行产线转换投资。该厂目前主要生产1
发布日期：2026-06-11 来源：芯智讯6月11日消息，晶圆代工龙头台积电首席财务官黄仁昭近日在接受外媒深度专访时，首度对外界关切的“涨价”、“AI泡沫”及“全球扩张动机”等敏感议题进行了系统性回应。他的回应既展现了这家芯片巨头的定价底气，也凸显了美国半导体产业政策的雄心所需要面临的现实挑战。 “我们反映的是价值，不会涨价四五倍” 随着AI需求爆发所导致的半导体供应链紧张，上游原材料价格上涨，叠加全球通胀推高了企业的经营成本，作为晶圆
发布日期：2026-06-11 来源：芯智讯据台媒《工商时报》6月10日报道，尽管台积电已在第二季度将3nm月产能拉升至16万至17.5万片，但仍无法满足客户排队下单的需求。供应链消息透露，台积电计划于2026年下半年再次调涨3nm代工价格，涨幅最高可达15%。 目前，台南科学园区的Fab18厂区是台积电3nm制程的主力生产基地。数据显示，2026年初，台积电3nm月产能约为13万片晶圆，到第二季度已提升至16万至17.5万片，增速不可谓
发布日期：2026-06-11 来源：芯智讯6月8日，三星电子副会长兼设备解决方案（DS）事业部负责人全永铉在首尔明确表示，三星与英伟达的合作已远远超越高带宽存储器（HBM）领域，并全面扩展至核心的晶圆代工业务。 此次表态是在全永铉与英伟达首席执行官黄仁勋于首尔新罗酒店举行闭门商务会议后作出的。全永铉对媒体表示：“我们合作已久，但我认为今天的谈话是迄今为止最好的一次。” 他透露，双方不仅就短期的HBM4供应进行了深入对话，还广泛讨论了涵盖H
发布日期：2026-06-11 来源：电子工程专辑韩国SK海力士集团董事长崔泰元周三在接受《日经亚洲》采访时表示，为满足人工智能计算关键存储芯片的激增需求，该公司计划到2034年将其晶圆产能提高三倍。 “由于我们正在推进尽可能扩大产能的计划，我们的计算显示，晶圆产能将在五年内翻一番。但说实话，一旦所有这些设施建成，产能不仅会翻一番，到2034年左右还会翻三番，”Chey在东京举行的日经亚洲未来论坛间隙表示。“人们已经开始说，即使这样也还不够。”
发布日期：2026-06-10 来源：半导体行业观察在全球AI芯片需求持续爆发、先进封装产能严重供不应求的当下，晶圆代工龙头台积电正全力推进新一代先进封装平台“CoPoS”（Chip-on-Panel-on-Substrate）。根据供应链最新消息，台积电已成功取得相关材料与耗材，并正式启动生产线与机台的验证测试阶段，这标志着被视为延续台积电领先地位的新一代封装技术，已迈出关键一步。 台积电CoPoS试产线已建置，供应商正积极配合 CoPoS本质
发布日期：2026-06-10 来源：芯智讯6月8日消息，据韩国媒体《朝鲜日报》的最新报道指出，三星电子旗下的晶圆代工事业部们预计最快将于2026年第三季成功扭亏为盈，这将是该部门自2022年出现数万亿韩元营业亏损以来，时隔约四年首度重返获利增长轨道。 市场分析称，此次三星晶圆代工部门业绩复苏的主要动力来自于：2nm先进制程良率的提升，以及高带宽内存（HBM）的基础芯片（BaseDie）产量的增加与大型订单的助力。其中，传闻三星的2nmG
发布日期：2026-06-08 来源：芯智讯6月3日消息，据外媒报道，SK海力士计划在未来五年内将其内存芯片晶圆产能翻番，这一重大扩产举措应助力缓解这一人工智能(AI)关键组件的全球短缺局面！ 据报道，到2026年底，其第六代10纳米DRAM（1cDRAM）月产量将从约2万片提高到16-19万片，增幅8-9倍，扩产占DRAM总产能超三分之一，支持GDDR7和SOCAMM2等产品生产。 战略包括升级现有设施和建设新生产线，2027年将M16
发布日期：2026-06-03 来源：国芯网5月28日晚间，英伟达（NVIDIA）CEO黄仁勋在台北敦化南路的“砖窑古早味怀旧餐厅”第五度设宴，宴请中国台湾AI供应链合作伙伴。这场被外界称为“兆元宴”的年度聚会，几乎囊括了中国台湾半导体与电子产业的所有龙头企业，从晶圆代工、封测、散热、载板、电源管理到组装代工等核心供应链环节全员到齐。 根据台媒报道，此番“兆元宴”到场的嘉宾与上一次基本相同，包括台积电董事长魏哲家、鸿海董事长刘扬伟、联发科
发布日期：2026-05-28 来源：芯智讯5月25日消息，据韩国媒体ETnews报道，存储芯片巨头三星电子近日成功开发出全球首个900层级V-NAND原型技术，向着“1000层NAND”的终极目标迈出了实质性的一步。在与竞争对手的激烈角逐中，这将成为三星一项极具分量的技术筹码。 此次突破的核心，是一种名为“单元多键合（CMB）”的技术。简单来说，三星将两片各450层的晶圆像“三明治”一样精准连接，合二为一，打造出900层级的集成系统。堆
发布日期：2026-05-26 来源：芯智讯AMD的EPYCVeniceCPU已进入量产阶段，成为首款采用台积电2nm工艺技术实现量产里程碑的高性能计算产品。 展望未来，AMD计划在台积电亚利桑那工厂实现EPYCVeniceCPU的量产，进一步提升产能，以满足人工智能数据中心和企业的需求。AMD还将把台积电的2nm制程技术应用于其下一代“AI专用”CPUVerano。Verano是专为智能体AI工作流程设计的Venice版本，并采用最新的
发布日期：2026-05-21 来源：是说芯语5月18日，JBD宣布完成MicroLED微显示从4英寸向12英寸晶圆重构量产体系升级，晶圆重构良率突破98%。 这条消息的核心点，不在良率数字，而在它解决了一个结构性矛盾。 一块12英寸背板，只用了44% MicroLED微显示的大规模量产，核心问题从来不是亮度够不够亮，而是良率够不够高，成本能不能降下来。 当前主流的晶圆至晶圆键合路径存在一个基础性矛盾。先进硅基背板已经全面进入12英寸时代，
发布日期：2026-05-17 来源：MicroDisplay5月14日，晶圆代工大厂台积电在中国台湾举行的“2026年度技术论坛”上表示，预计2022年至2026年间，人工智能（AI）加速器晶圆的需求将增长11倍。 台积电同时上调了对全球半导体市场的预测，预计到2030年，全球半导体市场规模将超过1.5万亿美元，高于此前预测的1万亿美元。其中，AI和高性能计算预计将占比55%，智能手机占比20%和汽车应用占比10%。 △台积电业务开发及全球销售资深副总经
发布日期：2026-05-14 来源：芯智讯
