全球半导体代工领域正加速演进，尤其在#12英寸晶圆 技术和产能的布局上。联电与芯片巨头英特尔正深化12纳米合作，而中国大陆本土晶圆厂也在积极推进其12英寸产线的升级与扩建。

投资300亿美元，德州仪器12英寸晶圆厂或即将投产

近日据外媒最新消息，#德州仪器 位于德克萨斯州谢尔曼（Sherman）建设的四座新半导体制造工厂中的第一座即将竣工，预计将于今年的5月末6月初正式投产。德州仪器谢尔曼工厂经理迈克·哈格蒂表示：“我们已经完成了第一家工厂的建设，团队现在已经入驻，我们正在安装设备，准备开始生产。”

2021年11月18日，德州仪器（TI）宣布，将投资高达300亿美元在美国德州谢尔曼兴建四座工厂（SM1、SM2、SM3、SM4），专注于生产模拟和嵌入式处理芯片，旨在满足未来几十年的市场需求。

图片来源：德州仪器

谢尔曼晶圆制造基地将成为德州仪器现有12英寸晶圆制造厂阵营的重要补充。除了这座工厂外，TI另外的扩产也在按计划进行中。根据TI 2022年的路线图，德州仪器将在2030年前建成六座300毫米晶圆厂，其中位于德克萨斯州理查森的RFAB2和LFAB（收购自美光）已分别于2022年和2023年投产。谢尔曼的两座晶圆厂一座今年投产，一座正在建设中，另有两座晶圆厂计划于2026年至2030年间建成。另外，在收购的美光犹他州Lehi工厂旁边，新建的12英寸晶圆厂LFAB2预计将于2026年投产，并与2022年投产的LFAB1合并为一个晶圆制造厂进行运营，在满产产能下每天将生产至少数千万颗模拟芯片及嵌入式处理器。

TI的计划是，到2030年将内部制造芯片带来的收入占比从2020年80%提升至2030年的90%以上，内部封装芯片的比例从2020年的60%提升到2030年的90%以上，并把12英寸晶圆生产比例从2022年的40%提升到2030年的80%以上，以更好地控制供应链。

近期，模拟芯片市场呈现出结构性复苏的迹象，特别是在汽车和工业领域需求回暖的背景下。市场端消息显示，尽管消费电子市场仍较为低迷，但汽车和工业领域的需求复苏为模拟芯片市场注入了新的活力。德州仪器2025年第一季度财报显示，其模拟产品收入增长13.2%，这是TI自2022年以来首次实现销售额同比增长，主要得益于工业市场复苏及汽车电动化、工业自动化和5G基础设施的需求增加。

德州仪器管理层在财报电话会议中指出，客户库存已处于各终端市场的低水位。库存的改善是市场需求回暖的重要信号，预示着未来补库存需求将进一步推动模拟芯片市场的增长。

联电新加坡晶圆厂扩建落成，并与英特尔合作开发12nm制程2027年量产

近期，#联电 在新加坡举行扩建新厂开幕典礼，新厂第一期项目将在2026年开始量产，预计将使联电新加坡Fab 12i厂总产能提升至每年超过100万片12英寸晶圆。

联电表示，位于新加坡白沙晶圆科技园区Fab12i厂区的全新扩建计划分为两期，第一期的总投资金额为50亿美元，月产能规划为3万片，并为未来投资计划预留第二期的空间。新厂将提供领先业界的22nm和28nm制程技术，是目前新加坡半导体产业最先进的晶圆代工制程，可为全球客户提供高阶智能手机显示驱动芯片、物联网装置使用的高性能內存芯片及下一代通信芯片。

此外值得注意的是，近日，晶圆代工厂联电（UMC）首席财务官刘启东表示，公司与英特尔（Intel）合作开发的12nm制程目前开发顺利，联电预计12nm制程预计将于2026年完成工艺验证，并于2027年投入生产。此外，联电在先进封装领域也取得了进展，其晶圆级3D W2W混合键合解决方案在带宽和尺寸收缩上具有优势，力争在本年内实现量产。

面对中国大陆成熟制程产能的积极扩张，联电强调其优势在于提供差异化和定制化的工艺服务。在中国大陆的晶圆厂，联电正优先将28纳米工艺升级到22纳米，以保持竞争力，并保持较高的产能利用率，尤其是合资公司联芯及和舰（Hejian）的厂区。

作为“IDM 2.0”战略的核心，英特尔（Intel）正全力推进其代工服务（Intel Foundry），并不断公布“四年五个制程节点”计划的最新进展。目前，其先进的Intel 18A制程节点已进入风险试产阶段，并计划于2025年底实现大规模量产，直接对标台积电的2纳米制程。

对于任何先进工艺而言，良率都是关键。据悉，英特尔18A制程节点正处于良率持续爬坡和优化中。虽然官方尚未披露具体的良率数据，但市场上存在关于初期良率备受挑战的传闻。对于集成PowerVia（背面供电）和RibbonFET（全环绕栅晶体管）等前沿技术的新节点来说，初期良率不高是正常现象。能否按计划在2025年底达成有竞争力的良率并实现大规模量产，将是衡量英特尔代工战略成功的关键。

同时，英特尔的步伐不止于此。公司已启动Intel 14A（1.4纳米）制程的客户合作，并发送了早期PDK，预计该制程将于2027年量产。该制程将采用高数值孔径EUV光刻技术等。这表明英特尔在追求最尖端工艺上不遗余力，试图在全球晶圆代工领域占据更重要的地位。

中国大陆两个12英寸项目获最新进展

在国际巨头积极布局的同时，中国大陆本土的晶圆制造项目也取得了重要进展。

01燕东微：募资40亿元用于12英寸集成电路生产线项目定增获上交所审核通过

5月29日，北京燕东微电子股份有限公司（以下简称“#燕东微 ”）发布公告，其向特定对象发行股票的申请已获得上海证券交易所审核通过。此次非公开发行拟向控股股东北京电子控股有限责任公司募集不超过40.2亿元人民币资金。其中，40亿元将专项用于“北电集成12英寸集成电路生产线项目”，另有2000万元用于补充流动资金。

据了解，该#12英寸集成电路生产线项目 总投资高达330亿元，规划建设月产能5万片的12英寸芯片生产线。其工艺重点聚焦于28nm至55nm的HV（高压）、MS（混合信号）、RF-CMOS（射频CMOS）等特色工艺平台，产品将广泛应用于显示驱动、数模混合芯片以及嵌入式微控制器（MCU）等领域。项目建成后，将显著提升燕东微在成熟制程领域的制造能力，推动其工艺技术从当前的65nm向更先进节点升级，从而有力支撑国内集成电路产业生态的完善和发展。

02浙江12英寸CMOS二期项目建设迎新进展

据浙大杭州国际科创中心消息，近日浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）项目一期（六阶段）工程、浙江省集成电路创新平台二期A12号楼首段大体积筏板混凝土浇筑任务顺利完成。未来，这里将建成LAB2微纳超净实验室，成为芯片研发与生产的核心区域。

科创中心一期、二期工程是浙江省“千项万亿”工程2025年重大建设项目。其中一期分六个阶段实施，计划于2026年12月底整体竣工。正在建设中的二期项目包括科研中心、孵化中心、学术交流中心、宿舍综合楼、附属用房等，计划于今年12月土建工程完工，2026年6月整体交付使用。

据悉，浙江省集成电路创新平台面向国家重大战略需求，聚焦CMOS集成电路成套工艺和设计一体化，建设全国唯一的12英寸CMOS集成电路芯片设计与制造成套工艺技术研发平台，旨在打造国内一流集成电路产教融合高端人才培养基地，推动形成集成电路产业高质量发展“创新硅谷”。