据报道称，根据 Ray Wang 透露的消息，台积电公布了其先进工艺路线图的最新进展，确认下一代 A14（1.4 纳米）工艺的研发进程顺利，其关键的良率表现已经提前达到内部预期，相较 2nm 实现重大技术升级。

具体来看，A14 工艺相较于即将推出的 N2（2 纳米）工艺，实现了性能、功耗和密度的全面跃升。

援引官方数据如下：

- 在功耗保持不变的情况下，A14 工艺的运行速度将提升 15%；

- 在速度相同时，功耗可降低高达 30%；

- 其晶体管密度也将提高 20%，使芯片能够在更小的空间内容纳更多功能单元。

这些显著的性能提升得益于底层技术的革新。台积电透露，A14 工艺将全面采用第二代 GAAFET（全环绕栅极）纳米片晶体管技术，并结合全新的 NanoFlex Pro 标准单元架构。

GAAFET 技术能够更有效地控制电流，减少漏电，从而在提升性能的同时控制功耗。而新的架构则进一步优化了芯片设计，实现了更高的集成度，共同驱动了 A14 工艺的突破。

苹果、英伟达、AMD 等客户已计划采用 A14 工艺，其对终端产品的技术赋能值得期待。台积电预计 A14 将于2028 年投入量产，这一时间表进一步巩固了其在先进制程领域的领先优势。