SK海力士已开始自主研发极紫外（EUV）光刻胶，这项技术目前由日本主导。此举旨在加强关键半导体材料的供应链，提升半导体制造的竞争力。

据业内人士12月7日透露，SK海力士已与东进半导体合作，开始研发高性能EUV光刻胶。其目标是开发一种不仅能够替代，而且性能超越目前由日本JSR和东京樱化工业株式会社（TOK）提供的EUV光刻胶的材料。

一位知情人士表示：“他们需要一种性能优于日本产品的材料。”他补充道：“据我了解，他们特别要求提高光刻胶的感光度，以提高生产效率。”

SK海力士此前曾于2023年通过其子公司SK Materials Performance实现EUV光刻胶的自主研发。然而，当时生产的产品据称规格较低。此前，SK海力士用于核心半导体层的高性能光刻胶一直完全依赖日本。

光刻胶（PR）是曝光工艺中使用的一种材料。在用光照射晶圆（曝光）以刻蚀半导体微电路时，光刻胶是晶圆表面对光产生反应的材料。极紫外光刻（EUV）是制造尺寸约为10纳米（nm）的超精细电路的关键光刻技术，而荷兰ASML公司是全球唯一的EUV光刻设备供应商。

SK海力士致力于EUV光刻胶的研发，旨在最大限度地利用其单价高达2000亿韩元的光刻设备，并满足DRAM中对EUV光刻层快速增长的需求。

半导体行业普遍认为，提高光刻胶的感光度可以缩短曝光时间。更快的响应速度意味着可以在更短的时间内完成微电路的制造。这意味着即使使用相同的设备，不同的光刻胶也会影响产能。

此外，DRAM中EUV工艺的日益普及也加剧了对光刻胶研发的需求。每代EUV光刻工艺的层数分别为：10nm级第四代（1a）一层，第五代（1b）三层，第六代（1c）五层，第七代（1d）七层。预计10nm以下工艺的产品层数将会增加。

材料研发耗时较长，而EUV光刻技术（PR）的准入门槛很高。SK海力士与东进半导体合作的成果难以预测。当然，如果商业化成功，将显著提升韩国国内材料产业的竞争力。

SK海力士代表表示：“我们无法透露具体的研发细节。”但他补充道：“我们正在与包括材料供应商在内的多家公司持续合作，以提高生产效率。”