三星电子已开始量产其下一代存储器——第六代DRAM（以下简称1c DRAM）。据报道，1c DRAM的良率已接近80%的量产目标。

1c DRAM是下一代高带宽存储器HBM4的基础，其能否成为三星电子在人工智能（AI）存储器领域夺回被SK海力士夺走的领先地位的决定性举措，备受关注。

据报道，三星电子的1c DRAM良率近期已达到70%左右。多位知情人士表示：“三星电子已显著提高1c DRAM的良率，已接近80%以上的目标。公司内部对1c DRAM性能的信心正在增强。”

良率是衡量半导体产量的关键指标，它代表着良品率占总产量的比例。良率越高，半导体供应量就越大，从而确保盈利能力。

通常，DRAM 在实验室开发完成并投入量产时，良率约为 50%。然而，要实现全面商业运营，良率需要达到 80% 至 90%。

1c DRAM 是第六代 10nm DRAM，电路线宽为 11-12nm。在三星全永铉副董事长出任三星半导体救世主后，这款内存进行了改进。该设计经过彻底改造，旨在解决三星内存竞争力下降的根本原因，包括 HBM。

三星投入了巨大的精力开发 1c DRAM，因为这是重夺其在 HBM 市场领先地位的关键战略，此前该市场一直落后。当竞争对手基于上一代 1b RAM 打造 HBM4 时，三星计划利用更先进的 1c RAM 扭转局面。

因此，三星成功将1c DRAM的良率提升至量产水平意义重大，预计将对行业产生深远影响。

三星一直强调恢复其根本竞争力。去年10月，三星电子副董事长全永铉重返半导体业务后，发表了一份罕见的道歉声明，表示：“我们不会寻求短期解决方案，而是要恢复根本的技术竞争力。”他还补充道：“技术和质量是三星电子的骄傲。” 在此期间，全永铉副董事长在半导体设计方面迈出了大胆的步伐，此举被视为加速恢复竞争力的举措。

据报道，三星还显著提高了其垂直堆叠1c DRAM的HBM4的良率。据半导体业界人士称，随着1c DRAM的稳定发展，目前样品阶段的HBM4良率已达到50%。

基于良率的提升，三星电子正在加速1c DRAM的量产。该公司目前正在其平泽四号工厂（P4）安装半导体设备，该工厂专注于生产1c DRAM。据报道，该生产线已进入建设的最后阶段。据悉，1c DRAM的很大一部分将用于生产HBM4。这被认为是为最终批量供应HBM4做准备。

三星电子目前正在与NVIDIA合作进行HBM4性能评估（认证测试）。预计在获得量产批准后将立即投入生产。半导体行业预计最早下个月就能公布结果。

一位业内人士预测：“三星电子正在进行工艺迁移（技术迁移），将设备从现有生产线迁移到新生产线。这将通过提高现有设备的利用率来最大限度地缩短设备引进时间（交付周期），从而显著加快投产速度。”