韩国《中央日报》11月19日报导，在美国的封锁下，中国正以高效能动态随机存取存储器DDR5取代人工智能（AI）芯片中的高频宽存储器（HBM），中国大量从韩国进口DDR5，加剧推动存储器的超级周期，并重新塑造存储器的格局。

韩国贸易协会11月18日公布，今年第3季韩国对中国的存储器出口总额达78.8亿美元，较去年同期增加20%，相当于13.7亿美元。

这与今年上半年的状况截然不同，除了4月短暂反弹外，当时月出口年减幅度在2%至28%之间。然而单单8月，出口飙涨33.2%，若以出口量而言，则年增幅度达约60%。

即使与去年中国企业因忧心川普胜选恐导致更严厉制裁，而急于囤积存储器相较，中国今年的进口量甚至更高。

报导说，中国对存储器需求激增的主因之一是美国的出口管制。川普政府不仅禁止美国企业，也阻止盟邦向中国出口高阶芯片。

韩国「中国经济与金融研究院」研究主任Jeon Byeong-seo指出，「中国因无法使用外国绘图处理器（GPU）而增加国产AI芯片的使用，由于无法进口GPU与先进的HBM，中国正以其制造的DDR5芯片取代GPU」。

DDR5是高效能DRAM，可加快资料处理速度。他说，华为在9月的科技大会上公布其媲美辉达A100芯片的最新升腾（Ascend）910B芯片，以DDR5取代HBM。

他表示，「需要大量DDR5来取代AI芯片中的HBM，这是中国近期DDR5需求爆增的原因；随着AI热潮驱动全球存储器需求激增，中国的行动进一步加剧存储器的超级周期」。

在进口成长的同时，中国存储器在地生产的雄心也加剧。长鑫存储去年成功实现DDR5商业化，目前聚焦于提升良率。

一名业界人士透露，「市场一度忧心DDR5的价格会因长鑫存储的快速扩张而崩跌。但这个疑虑因DDR5价格上涨而暂时舒缓，但在此状况下，中国的技术仍持续进步」。