随着三星电子和英伟达就12层HBM4的价格谈判进入最后阶段，各方关注的焦点集中在最终的单价上。尽管HBM3E 12的单价已经下调，但三星电子内部的目标是与SK海力士就12层HBM4的价格达成一致。

目前HBM4的需求量超过供应量，因此短期内没有降低单价的动力。为了应对不断增长的需求，三星电子计划在明年年底前将其HBM4的1c DRAM产能提升至每月15万片晶圆。

据业内人士透露，三星电子目前正在与英伟达就明年的HBM4价格进行谈判。据悉，英伟达在与SK海力士敲定明年的供货合同仅一周后，便邀请三星电子参与谈判。目前谈判已进入最后阶段，预计将在年内做出最终决定。

一位熟悉该公司情况的消息人士表示：“我们内部目前认为，HBM4 的关键性能，包括速度，优于 SK 海力士的产品。” 他们补充道：“虽然我们之前为 NVIDIA 提供的 HBM3E 12 层产品价格相对较低，但我们正在与 SK 海力士就 HBM4 进行谈判，目标是确保单价与 SK 海力士相同。”

据报道，SK 海力士最近与 NVIDIA 达成的 HBM4 供应价格协议在 500 美元左右。考虑到SK海力士的HBM3E 12层芯片价格在300美元左右，这意味着价格上涨超过50%。SK海力士在台积电生产的HBM4芯片总成本比上一代产品增加了30%，但其获得的溢价也与之相当，从而显著抵消了成本负担。

业内人士认为，两家公司很可能以相近的价格供应HBM4。一位半导体行业人士表示：“英伟达对HBM4的需求如此之高，以至于三星电子别无选择，只能以高价确保供应。目前，三星电子没有理由降低单价。”他补充道：“即使他们降价，价格差异也不会很大。”这表明三星电子在谈判桌上占据相对优势。

这将有效消除下一代产品中HBM3E芯片的显著价格差距。目前，三星电子的HBM3E芯片价格比SK海力士的同类产品低约30%。一位消息人士解释说：“三星电子已经为英伟达预定了HBM3E芯片，但由于认证延迟，英伟达无法发货，迫使我们紧急将产品交付给其他大型科技公司。这部分产品不得不大幅降价出售，从而拉低了平均单价。” 据报道，三星电子的HBM3E芯片售价在200美元左右。

三星电子也在加速扩大其单核DRAM产能，以应对未来需求的增长。然而，该公司选择的是循序渐进的策略，而非短期快速扩张。三星电子明年的首要任务是提高盈利能力，因此比起HBM芯片，更注重扩大通用DRAM的产能。该公司计划到明年将其单核DRAM产能从目前的每月约2万片晶圆提高到每月约15万片晶圆。

一位公司负责人解释道：“明年，我们计划将单晶DRAM产能每月增加约8万片晶圆。加上现有成熟工艺线改造为单晶工艺的产能，明年我们每月将能够分配约15万片晶圆用于HBM4的生产。”

HBM样品分为WD（工作芯片）→ ES（工程样品）→ CS（客户样品）三个阶段。三星电子已于去年9月向NVIDIA交付了ES样品，认证结果将于本月公布。一旦获得批准，必须立即提交量产样品。完成此流程后，最终认证结果将于明年初公布。

最初，业内人士预计，即使三星电子在明年初通过最终认证并立即开始量产，产品出货也要到明年下半年才能开始。然而，鉴于NVIDIA近期对HBM4的需求激增，一些人预测三星电子最早可能在明年第二季度就能开始供货。这将打破SK海力士在上半年垄断英伟达HBM4供应的现有格局，将两家公司之间的供应差距从半年缩短至季度。

然而，要实现这一预期，必须确保大规模生产。目前，三星电子用于HBM4的1c DRAM良率仅为50%。另一位半导体行业内部人士解释说：“最大的挑战是良率，而非质量。” 他补充道：“虽然之前有人担心发热问题，但现在已经显著改善。包括英伟达在内的主要客户更看重速度而非发热，因此目前不存在重大问题。” 三星电子的HBM4核心芯片采用1c DRAM，逻辑芯片则采用4nm工艺。虽然这种先进工艺相比竞争对手在速度和能效方面具有优势，但也可能导致发热问题。