三星电子正在加速研发其第七代高带宽内存（HBM）“HBM4E”。据报道，该公司计划下个月完成首个达到预期性能指标的HBM4E样品的研发。在此基础上，三星计划在完成内部验证后向客户交付该产品。此前，三星已正式宣布业界首款量产的第六代HBM（HBM4）上市，此举旨在巩固其在下一代HBM市场的领先地位。

据业内人士16日透露，三星电子计划下月生产首批HBM4E芯片样品。该公司计划在下月中旬之前，由其晶圆代工部门生产出HBM4E的“大脑”——逻辑芯片样品，该芯片的性能相比上一代产品有了显著提升——并将其交付给内存部门。计划是将这些样品与HBM4E DRAM封装在一起。据悉，三星电子将向英伟达提供经过内部评估并达到预期性能标准的样品。

此前，三星电子在今年3月举行的NVIDIA年度开发者大会“GTC 2026”上展示了HBM4E的实物样品。然而，业内普遍认为该产品仅仅是用于展示的样品。三星电子似乎尚未生产出能够满足NVIDIA等客户性能要求的真正意义上的样品。

三星电子计划加速HBM4E的研发，以巩固其在下一代HBM市场的领先地位。此前，三星宣布，凭借先进的制造工艺，该公司已成功实现HBM4的量产出货，领先于竞争对手。三星解释说，其在HBM4逻辑芯片和HBM4 DRAM方面均采用了优于竞争对手SK海力士和美光的工艺，从而拥有性能优势。据悉，该公司目前正全力提升盈利能力。

三星电子在HBM4E的逻辑芯片上采用了与HBM4相同的4nm制程工艺，并在DRAM芯片上采用了10nm级第六代（1c）工艺。虽然由于采用了新的工艺细节来提升部分性能，因此并非完全相同的工艺，但与首次在HBM4E中使用先进制程工艺和1c DRAM的竞争对手相比，其技术稳定性被评估为更高。

与此同时，据报道，SK海力士也在全力投入HBM4E的研发。据悉，SK海力士计划将比HBM4先进一代的DRAM应用于HBM4E，并优先考虑在逻辑芯片上应用台积电的3nm工艺。此前，SK海力士在HBM4逻辑芯片上采用了台积电的12nm工艺，在HBM4上则采用了10nm级的第五代（1b）DRAM。虽然当时SK海力士的重点在于利用HBM4成熟的工艺来保证业务稳定性，但该公司似乎已经制定了在HBM4E性能方面取得优势的战略。

一位半导体行业官员表示：“虽然由于英伟达人工智能芯片 Vera Rubin 系列（包括 HBM4 和 HBM4E）的发布略有延迟，三星电子的产量有所调整，但该公司正专注于下一代市场，以避免重蹈上一代市场被竞争对手抢走的覆辙。”